I/O 타이밍 특성#
전파 지연은 아날로그 I/O 신호의 변화와 카메라 내부 상태의 변화 사이(또는 그 반대의 경우)의 시간 간격을 의미합니다.
전파 지연을 파악하는 것은 마이크로초 단위의 정밀도로 I/O 제어를 구성하려는 경우에 유용합니다.
이 섹션의 모든 예제는 Line Inverter 기능이 비활성화되어 있다고 가정합니다.
특성#
- 광결합 I/O 라인(opto-coupled I/O lines)의 전파 지연은 일반적으로 GPIO 라인의 전파 지연보다 깁니다.
- 광결합 입력 라인의 경우, 로우에서 하이로의 신호 전환(상승 에지)에 대한 전파 지연이 하이에서 로우로의 신호 전환(하강 에지)보다 짧습니다. GPIO 라인의 경우는 그 반대입니다.
- 출력 라인의 경우, 하이에서 로우로의 신호 전환에 대한 전파 지연이 항상 더 짧습니다.
입력 라인의 전파 지연#
출력 라인의 전파 지연#
I/O 라인의 전파 지연에 영향을 미치는 요인#
| 요인 | 광결합 입력 라인 | GPIO 입력 라인 | 광결합 출력 라인 | GPIO 출력 라인 |
|---|---|---|---|---|
| 작동 온도 | ● | ○ | ● | ○ |
| 전자 부품의 생산 편차 a | ● | ○ | ● | ○ |
| 노화 | ● | ● | ||
| External I/O supply voltage | ● | ● | ○ | |
| Load resistance | ● | ○ | ||
| Load current | ● | ○ |
● = 주요 영향, ○ = 부수적 영향
-
동일한 조건에서 작동하는 동일 로트의 카메라라 하더라도 제조 편차로 인해 전파 지연에 차이가 발생할 수 있습니다.
권장 사항#
- 가장 빠른 응답 시간을 얻으려면 일반적으로 신호의 fast edge를 사용하십시오. 광결합 I/O 라인의 경우 fast edge의 전파 지연은 15 µs를 거의 초과하지 않으며, GPIO 라인의 경우 1 µs를 거의 초과하지 않습니다.
- fast edge 전파 지연을 최소화하려면 부하 저항을 늘리십시오.
- slow edge 전파 지연을 최소화하려면:
- 3.3 VDC와 5 VDC 사이의 I/O supply voltage를 사용하십시오.
- 30 mA와 40 mA 사이의 부하 전류를 얻으려면 부하 저항을 줄이십시오.
- 전파 지연이 일반적으로 더 짧은 GPIO 라인을 사용하십시오.
- 입출력 라인에 전류를 가하면 광 coupler의 노화가 빨라집니다. 안정적인 전파 지연을 유지하려면 전류가 흐르는 시간을 최소한으로 유지하십시오.
- I/O 라인 사용으로 인해 발생하는 신호 에지 간 변위(지터)는 무시할 수 있는 수준입니다. 그러나 트리거 신호로 인해 지터가 증가할 수 있습니다. 지터를 방지하려면 트리거 신호의 플랭크를 가파르게 유지하고 따라서 짧게(가급적 500 ns 미만) 유지하십시오. 카메라의 고유 지터는 피크 간 100 ns 미만입니다.
ace USB 3.0 카메라에서 측정한 전파 지연#
측정된 전파 지연은 동일한 생산 로트의 2000대 ace USB 3.0 카메라를 기반으로 합니다.
정보
다음 표의 값은 다음 작동 조건에서만 유효합니다.
- 하우징 온도: 25 °C
- 부하 저항: 170 Ω
- I/O supply voltage: 5 VDC
다른 작동 조건에서의 전파 지연에 대한 가정을 이 값들을 바탕으로 내리지 마십시오.
입력 라인#
| Fast Edge | Slow Edge | |
|---|---|---|
| Opto-coupled input line | 4.5–7.5 µs (= rising edge) | 19–28 µs (= falling edge) |
| GPIO input line | <0.5 μs (= falling edge) | <1 μs (= rising edge) |
Output Lines#
| Fast Edge | Slow Edge | |
|---|---|---|
| 옵토커플러 출력 라인 | 3–6 μs (= 하강 에지) | 27–38 μs (= 상승 에지) |
| GPIO 출력 라인 | <0.5 μs (= falling edge) | <2.5 μs (= rising edge) |